DC modelo 8425 con Probe Station Criogénica

El modelo 8425 de medición de efecto Hall mide las propiedades electrónicas y de transporte magnético de nuevos materialeses a escala de oblea en un ambiente criogénico estrictamente controlado. Idóneo para una investigaciones de física aplicada, ingeniería eléctrica, investigación de materiales y desarrollo de productos. Mide las propiedades electrónicas y de transporte magnético de materiales, incluyendo:

- Semiconductores III-V: InP, InSb, InAs, GaN, GaP, GaSb, dispositivos basados en AIN, transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs) y transistores bipolares de heterounión.

- Semiconductores II-VI: CdS, CdSe, ZnS, ZnSe, ZnTe y HgCdTe.

- Semiconductores elementales: Ge, Si en dispositivos aislantes (SOI), SiC y dispositivos basados en SiGe con diamante dopado (HBTs y FET).

- Superconductores de alta temperatura.

 

Características del modelo 8425

- Sistema completo de medición de efecto Hall que utiliza un dispositivo de sondeo al vacío en una probe station.

- Admite una amplia gama de mediciones de Hall en campo de DC: mide la movilidad en materiles y estructuras a escala de oblea en función de la temperatura y el campo.

- Campos DC de 2T y resistencias de 0.5 mΩ a 100 GΩ.

- Variación de temperaturas de 10 K a 400 K, usando un refrigerador de ciclo cerrado, no se requiere criógeno.

- Incluye software intuitivo de la serie 8400 para una fácil operación del sistema, adquisición de datos y análisis.

- Soporta la exportación de datos para análisis multiportadora.

- Garantía estándar de 3 años.

 

Mediciones directas y derivadas en función del campo y la temperatura

- Voltage Hall.

- Mediciones de la curva IV.

- Resistencia.

- Magnetoresistencia y magnetotransporte.

- Coeficiente Hall.

- Movilidad Hall.

- Efecto Hall anómalo (AHE).

- Tipo, concentración y densidad de portadores.